流言终结者|苹果园深度剖析iPhone6Plus召回传闻 ，，据港媒报道，iPhone6Plus近期不断传出储存功能出包，手机系统会发生崩溃、不断重开机等现象。若情况属实，苹果(AppleInc.)很可能会全面召回iPhone6Plus手机。，，据自由时报网消息，《AppleInsider》上个月就曾报道，iPhone6Plus只要使用者安装超过700项应用程式(App)后，手机系统就会发生问题，不断重新开机。有不少使用者都发生上述的情况，其中以128GB的机种情况最严重。，，根据韩国媒体《BusinessKorea》昨日报道，苹果很有可能为了减少大尺寸、大容量机款的成本，选择了稳定度较差的NAND快闪记忆体，其中的控制IC很有可能就是罪魁祸首。，，近日，这段话这几日被各大小道消息转载，各类厂商都已经准备普天同庆iPhone6Plus要被召回了。，，“128G的iPhone6/Plus会莫名崩溃，恐导致大规模召回”的新闻在网上疯传，并且引起了不少苹果用户的担心，尤其是那些根据“要买就买顶配”的买买买原则而选择了128G的iPhone的用户。不过新闻内容却引起了笔者的好奇，根据报道内容：，，“引起iPhone崩溃的原因竟然是NANDFLASHMEMORY（闪存）模块中IC控制单元出现故障，并且苹果为了减少成本使用了低价的NANDTLCFLASHMEMORY而非成本更高、速度更快的NANDMLCFLASHMEMORY.因此当用户安装超过700个App时，iPhone便会自己崩溃，更令消费者感到担忧的是最新的iOS8.1更新中这个问题并未解决，问题是出在硬件上。”，，消息称，苹果为了节省成本而在128GBiPhone6Plus与其他一些型号使用了TLC。而在此之前，TLC都只用在部分iPad上，而价格更高、稳定度更高的MLC则应用于iPhone。，，网上很多报道显示，读取性能差的三星SSD840和840EVO使用了TLC闪存，因此控制器集成电路的问题被认为是导致缺陷的最可能原因。随着对SSD840和840EVO争议的上升，三星不得不升级了固件。部分业界人士认为，倘若TLC真的是iPhone6Plus系统崩溃的主因，那么苹果也许会召回已经出售的所有产品。，，NANDTLC/MLCFLASHMEMORY究竟是什么？，，首先FLASHMEMORY作为闪存设备，是手机类设备的重要存储介质，由日本的东芝公司于1984年发明。在FLASHMEMORY中又分为NORFLASH和NANDFLASH两种常见的类型，其中NORFLASH属于第一代产品，第一款商用产品是1988年Intel公司所制造的NORFLASH芯片，不过由于抹写时间较长，成本较高的原因，NORFLASH很快被NANDFLASH取代。NANDFLASH同样是有东芝公司发明，在1988年的国际固态电路研讨会（ISSCC）所发布。NANDFLASH具有较快的抹写时间，而且每个存储单元的面积也较小，这让NANDFLASH相较于NORFLASH具有较高的存储密度与较低的每比特成本。同时它的可抹除次数也高出NORFLASH十倍。，，在FLASH模块中，数据被存储在由浮闸晶体管组成的记忆单元数组内，在单阶存储单元（Single-levelcell,SLC）设备中，每个单元只存储1比特的信息，这简称为SLCNANDFLASH,其优点是传输速度更快，功率消耗更低和存储单元的寿命更长，不过缺点也很明显：每个存储单元包含的信息较少，其每百万字节需花费较高的成本来生产，因此不利于实际生产。，，而多阶存储单元（Multi-levelcell,MLC）设备则利用多种电荷值的控制让每个单元可以存储2比特以上的数据，其“多阶”指的是电荷充电有多个能阶（即多个电压值），如此便能存储多个比特的值于每个存储单元中。借由每个存储单元可存储更多的比特，MLC闪存可降低生产成本，但比起SLC闪存，其传输速度较慢，功率消耗较高和存储单元的寿命较低，因此MLC闪存技术会用在标准型的储存卡中。，，而这一次被韩国媒体猛烈抨击的三阶储存单元（Triple-LevelCell,TLC）TLC闪存，它的架构原理与MLC类似，但可以在每个储存单元内储存3个信息比特。TLC的写入速度比SLC和MLC慢，寿命也比SLC和MLC短，大约1000次，但是可以做到大容量和低价格。现在，厂商已不使用TLC这个名字，而是称其为3-bitMLC.，，iPhone中到底用了什么FLASHMEMORY，，在韩国媒体的报道中“iPhone不仅使用了成本更低的NANDTLCFLASH,更重要的是在其控制集成电路（IC）出现了故障。”在iPhone内部，这块IC主要任务是其他电子元器件和NAND之间的调度和控制，保证数据的正常写入和读取，平时用户不管是拍照还是使用应用都离不开它。，，那么实际情况是否如韩国媒体报道的那样？带着好奇，笔者查阅ifixit的拆机资。根据128G的真机实拆图显示，其采用来自韩国的海力士（SKhynix）的NANDFLASH,型号为H2JTDG8UD1BMS.（图中红色部分）

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